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1 nm Al 插入层调节 NiGe/n-Ge 肖特基势垒

丁华俊 薛忠营 魏星 张波

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1 nm Al 插入层调节 NiGe/n-Ge 肖特基势垒

丁华俊, 薛忠营, 魏星, 张波

Effects of ultra-thin aluminium interlayer on Schottky barrier parameters of NiGe/n-type Ge Schottky barrier diode

Ding Hua-Jun, Xue Zhong-Ying, Wei Xing, Zhang Bo
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出版历程
  • 收稿日期:  2022-02-22
  • 修回日期:  2022-06-24
  • 上网日期:  2022-10-20
  • 刊出日期:  2022-10-20

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