[1] |
康家兴, 严全河, 曹浩宇, 孟威威, 徐飞, 洪峰. 新型四元硫族化合物光伏特性的高通量筛选和第一性原理研究. 物理学报,
2024, 0(0): .
doi: 10.7498/aps.73.20240795
|
[2] |
汤衍浩. 转角半导体过渡金属硫族化物莫尔超晶格中的新奇物态. 物理学报,
2023, 72(2): 027802.
doi: 10.7498/aps.72.20222080
|
[3] |
范人杰, 江先燕, 陶奇睿, 梅期才, 唐颖菲, 陈志权, 苏贤礼, 唐新峰. In1+xTe化合物的结构及热电性能研究. 物理学报,
2021, 70(13): 137102.
doi: 10.7498/aps.70.20210041
|
[4] |
施亨宪, 杨凯科, 骆军委. III-V族硼基化合物半导体反常热导率机理. 物理学报,
2021, 70(14): 147302.
doi: 10.7498/aps.70.20210797
|
[5] |
郭道友, 李培刚, 陈政委, 吴真平, 唐为华. 超宽禁带半导体β-Ga2O3及深紫外透明电极、日盲探测器的研究进展. 物理学报,
2019, 68(7): 078501.
doi: 10.7498/aps.68.20181845
|
[6] |
马嵩松, 舒天宇, 朱家旗, 李锴, 吴惠桢. Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结二维电子气研究进展. 物理学报,
2019, 68(16): 166801.
doi: 10.7498/aps.68.20191074
|
[7] |
谢修华, 李炳辉, 张振中, 刘雷, 刘可为, 单崇新, 申德振. 点缺陷调控: 宽禁带II族氧化物半导体的机遇与挑战. 物理学报,
2019, 68(16): 167802.
doi: 10.7498/aps.68.20191043
|
[8] |
潘国兴, 李田, 汤国强, 张发培. 高度取向的半导体聚合物薄膜的溶液浸涂法生长及其电荷传输特性研究. 物理学报,
2017, 66(15): 156801.
doi: 10.7498/aps.66.156801
|
[9] |
刘海云, 刘湘涟, 田定琪, 杜正良, 崔教林. 含硫宽禁带Ga2Te3基热电半导体的声电输运特性. 物理学报,
2015, 64(19): 197201.
doi: 10.7498/aps.64.197201
|
[10] |
张登魁, 赵金良, 张红国, 岳明. LaFe11.5Si1.5化合物氢化特性及稳定性的研究. 物理学报,
2014, 63(19): 197501.
doi: 10.7498/aps.63.197501
|
[11] |
王兴军, 董斌, 周治平. Er硅酸盐化合物薄膜的相转变和光致发光特性研究. 物理学报,
2010, 59(5): 3554-3557.
doi: 10.7498/aps.59.3554
|
[12] |
罗文辉, 李涵, 林泽冰, 唐新峰. Si含量对高锰硅化合物相组成及热电性能的影响研究. 物理学报,
2010, 59(12): 8783-8788.
doi: 10.7498/aps.59.8783
|
[13] |
唐新峰, 陈立东, 後藤 孝, 平井敏雄, 袁润章. Skutterudite化合物FexCo4-xSb12的固相反应合成及热电特性. 物理学报,
2000, 49(6): 1120-1123.
doi: 10.7498/aps.49.1120
|
[14] |
刘景和, 孙 强, 刘向东, 刑宏岩, 李建利, 李国桢, 黄宗坦, 黄承彩, 李 丹, 黄江平. YBCO半导体薄膜及Bolometer特性. 物理学报,
2000, 49(10): 2017-2021.
doi: 10.7498/aps.49.2017
|
[15] |
陈益栋, 刘兴权, 陆 卫, 史国良, 沈学础, Q.X.ZHAO, M.WILLANDER. GaAs/SrTiO3外延半导体单晶薄膜带间跃迁研究. 物理学报,
1999, 48(9): 1718-1722.
doi: 10.7498/aps.48.1718
|
[16] |
周国良, 盛篪, 樊永良, 蒋维栋, 俞鸣人. GexSi1-x/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究. 物理学报,
1993, 42(7): 1121-1128.
doi: 10.7498/aps.42.1121-2
|
[17] |
王仁智, 郑永梅, 吴孙桃, 黄美纯. Ⅲ-V族化合物半导体Λ轴光学声子形变势的研究. 物理学报,
1993, 42(4): 640-646.
doi: 10.7498/aps.42.640
|
[18] |
段文晖, 顾秉林, 朱嘉麟. 硫族化合物半导体CdSe,CdTe和SnSe的电子结构. 物理学报,
1990, 39(3): 437-445.
doi: 10.7498/aps.39.437
|
[19] |
王德宁, 王渭源. 化合物半导体中离子射程参数与化学键中离子特性间关系研究. 物理学报,
1989, 38(6): 923-930.
doi: 10.7498/aps.38.923
|
[20] |
张旭, 周京福, 薛增泉, 吴全德. 银超微粒子在半导体氧化钡薄膜中的生长特性. 物理学报,
1988, 37(6): 924-930.
doi: 10.7498/aps.37.924
|