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GexSi1-x/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究

周国良 盛篪 樊永良 蒋维栋 俞鸣人

引用本文:
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GexSi1-x/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究

周国良, 盛篪, 樊永良, 蒋维栋, 俞鸣人

MOLECULAR BEAM EPITAXY GROWTH AND CHARACTERI-ZATION OF GexSi1-x/Si STRAINED-LAYER SUPERLATTICES

ZHOU GUO-LIANG, SHENG CHI, FAN YONG-LIANG, JIANG WEI-DONG, YU MING-RBN
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出版历程
  • 收稿日期:  1990-09-19
  • 刊出日期:  2005-07-01

GexSi1-x/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究

  • 1. 复旦大学表面物理实验室,上海,200433
    基金项目: 国家自然科学基金

摘要: 在Si(100)衬底上用分子束外延在不同的温度下生长了不同组份的GexSi1-x/Si应变层超晶格。用反射式高能电子衍射、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射、透射电子显微镜以及Raman。散射等测试方法研究了GexSi1-x/Si超晶格的生长及其结构特性。结果表明,对不同合金组份的超晶格,其最佳生长温度不同。x值小,生长温度高;反之,则要求生长温度低。对于x为0.1—0.6,在400—600℃的生长温度范围能够长成界面平整、

English Abstract

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