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InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究

牛智川 周增圻 林耀望 李新峰 张益 胡雄伟 吕振东 袁之良 徐仲英

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InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究

牛智川, 周增圻, 林耀望, 李新峰, 张益, 胡雄伟, 吕振东, 袁之良, 徐仲英

InGaAs/GaAs STRAINED RIDGE QUANTUM WIRES GROWN-BY MBE ON NONPLANAR SUBSTRATE

NIU ZHI-CHUAN, ZHOU ZENG-QI, LIN YAO-WANG, LI XIN-FENG, ZHANG YI, HU XIONG WEI, Lü ZHEN-DONG, YUAN ZHI-LIANG, XU ZHONG-YING
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-05-22
  • 刊出日期:  1997-05-20

InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所;国家光电子工艺中心; (2)中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室

摘要: 提出了新型InGaAs/GaAs应变脊形量子线结构.这种应变脊形量子线结合了非平面应变外延层中沿不同晶向能带带隙的变化、非平面生长应变层In组分的变化,以及非平面外延层厚度的变化等三方面共同形成的横向量子限制效应的综合作用.在非平面GaAs衬底上用分子束外延生长了侧面取向为(113)的脊形AlAs/In GaAs/AlAs应变量子线.用10K光致荧光谱测试了其发光性质.用Kronig-Penney模型近似计算了这种应变脊形结构所具有的横向量子限制效应,发现其光致荧光谱峰位的测试结果,与计算结果相比,有10meV的“蓝移”.认为这一跃迁能量的“蓝移”是上述三方面横向量子限制效应综合作用的结果

English Abstract

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