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GaAs(001)衬底上分子束外延生长立方和六方GaN薄膜

刘洪飞 陈 弘 李志强 万 里 黄 绮 周均铭 罗 毅 韩英军

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GaAs(001)衬底上分子束外延生长立方和六方GaN薄膜

刘洪飞, 陈 弘, 李志强, 万 里, 黄 绮, 周均铭, 罗 毅, 韩英军

EPITAXIALL GROWTH OF CUBIC AND HEXAGONAL GaN FILMS ON GaAs(001) SUBSTRATES BY MBE

LIU HONG-FEI, CHEN HONG, LI ZHI-QIANG, WAN LI, HUANG QI, ZHOU JUN-MING, LUO YI, HAN YING-JUN
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-12-14
  • 刊出日期:  2000-03-05

GaAs(001)衬底上分子束外延生长立方和六方GaN薄膜

  • 1. (1)清华大学电子工程系,北京 100084; (2)中国科学院物理研究所,北京 100080

摘要: 采用分子束外延方法在GaAs(001)衬底上生长出了03微米厚的GaN薄膜,X射线双晶衍射和室温光荧光测试结果表明,采用GaAs氮化表面作为成核层可获得高纯度立方GaN薄膜而采用AlAs氮化表面作为成核层可获得高纯度六方GaN薄膜.这一研究结果表明在GaAs衬底上生长GaN薄膜的相结构可以通过选择不同的成核层来控制.

English Abstract

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