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分子束外延生长GaN薄膜中的一种早期位错结构

王绍青 刘全补 叶恒强

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分子束外延生长GaN薄膜中的一种早期位错结构

王绍青, 刘全补, 叶恒强

AN INCIPIENT EDGE DISLOCATION IN EPITAXIAL WURTZITE GaN

WANG SHAO-QING, LIU QUAN-PU, YE HENG-QIANG
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-04-20
  • 刊出日期:  1998-11-20

分子束外延生长GaN薄膜中的一种早期位错结构

  • 1. (1)英国剑桥大学材料科学与冶金学系,英国剑桥 CB2 3QZ; (2)中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室,沈阳 110015; (3)中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室,沈阳 110015;英国剑桥大学材料科学与冶金学系,英国剑桥 CB2 3QZ
    基金项目: 国家攀登计划和英国皇家学会基金资助的课题.

摘要: 利用高分辨电子显微术,对在GaP基体上由分子束外延生长六角GaN晶体薄膜中的晶体缺陷结构进行了研究.实验中发现了GaN薄膜外延生长过程中产生的一种典型早期刃型位错结构.此晶体缺陷位于一大块GaN晶粒内部,其外观类似于一段(1120)晶界.它由一条(1120)高能孤立晶界段及其两端的两个1/6[1120]不完全刃型位错组成.从大晶格失配材料之间分子束外延生长的机理上对这种缺陷结构的形成进行了解释.

English Abstract

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