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渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料

赵 谦 潘教青 张 靖 周 帆 王宝军 王鲁峰 边 静 安 欣 赵玲娟 王 圩

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渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料

赵 谦, 潘教青, 张 靖, 周 帆, 王宝军, 王鲁峰, 边 静, 安 欣, 赵玲娟, 王 圩

High-quality multiple quantum wells selectively grown on taper-patterned substrates by ultra-low-pressure MOCVD

Zhao Qian, Pan Jiao-Qing, Zhang Jing, Zhou Fan, Wang Bao-Jun, Wang Lu-Feng, Bian Jing, An Xin, Zhao Ling-Juan, Wang Wei
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-12-15
  • 修回日期:  2006-01-17
  • 刊出日期:  2006-03-05

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