[1] |
秦朝朝, 崔明焕, 宋迪迪, 何伟. CdSeS合金结构量子点的多激子俄歇复合过程. 物理学报,
2019, 68(10): 107801.
doi: 10.7498/aps.68.20190291
|
[2] |
孙言, 胡峰, 桑萃萃, 梅茂飞, 刘冬冬, 苟秉聪. 类硼S离子K壳层激发共振态的辐射和俄歇跃迁. 物理学报,
2019, 68(16): 163101.
doi: 10.7498/aps.68.20190481
|
[3] |
梁腾, 马堃, 武中文, 张登红, 董晨钟, 师应龙. Xe53+离子与Xe原子碰撞过程中的辐射电子俘获和辐射退激发光谱的理论研究. 物理学报,
2016, 65(14): 143401.
doi: 10.7498/aps.65.143401
|
[4] |
梁腾, 马堃, 陈曦, 颉录有, 董晨钟, 邵曹杰, 于得洋, 蔡晓红. Xe54+离子与Xe原子碰撞过程中的辐射电子俘获及退激发辐射的理论研究. 物理学报,
2015, 64(15): 153401.
doi: 10.7498/aps.64.153401
|
[5] |
桑萃萃, 王永军, 万建杰, 丁晓彬, 董晨钟. 高离化态金离子的辐射复合及其退激发过程的理论研究. 物理学报,
2010, 59(6): 3871-3877.
doi: 10.7498/aps.59.3871
|
[6] |
孙伟峰, 李美成, 赵连城. 窄带隙超晶格中载流子俄歇寿命和碰撞电离率的第一性原理研究. 物理学报,
2010, 59(8): 5661-5666.
doi: 10.7498/aps.59.5661
|
[7] |
王永军, 丁晓彬, 董晨钟, 马新文, 万建杰, 王建国, 吴勇. 类氢U91+离子的辐射复合及其辐射退激发过程的理论研究. 物理学报,
2009, 58(4): 2358-2363.
doi: 10.7498/aps.58.2358
|
[8] |
胡宏伟, 董晨钟, 师应龙. 单、双洞态镁离子的退激发及末电离态离子分布的研究. 物理学报,
2007, 56(7): 3887-3892.
doi: 10.7498/aps.56.3887
|
[9] |
刘绍鼎, 程木田, 周慧君, 李耀义, 王取泉, 薛其坤. 双激子和浸润层泄漏以及俄歇俘获对量子点Rabi振荡衰减的影响. 物理学报,
2006, 55(5): 2122-2127.
doi: 10.7498/aps.55.2122
|
[10] |
苑进社, 陈光德, 齐鸣, 李爱珍, 徐卓. 分子束外延GaN薄膜的X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究. 物理学报,
2001, 50(12): 2429-2433.
doi: 10.7498/aps.50.2429
|
[11] |
陈维德, 崔玉德. AlxGa1-xAs俄歇灵敏度因子的测定. 物理学报,
1994, 43(4): 673-677.
doi: 10.7498/aps.43.673
|
[12] |
施一生, 赵特秀, 刘洪图, 王晓平. Pd/W/Si(111)双层膜界面X射线光电子能谱与俄歇电子能谱研究. 物理学报,
1992, 41(11): 1849-1855.
doi: 10.7498/aps.41.1849
|
[13] |
赵汝光, 杨威生. 用可调探测深度电子能量损失谱与俄歇电子能谱研究Pb/Ni(001)界面. 物理学报,
1992, 41(7): 1125-1131.
doi: 10.7498/aps.41.1125
|
[14] |
钟战天, 王大文, 廖显伯, 范越, 李承芳, 牟善明. Au/a-Si:H界面X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究. 物理学报,
1991, 40(2): 275-280.
doi: 10.7498/aps.40.275
|
[15] |
卫星, 蒋维栋, 周国良, 俞鸣人, 王迅. GexSi1-x/Si超晶格的俄歇深度剖面分析. 物理学报,
1991, 40(9): 1514-1519.
doi: 10.7498/aps.40.1514
|
[16] |
俞跃辉, 林成鲁, 张顺开, 方子韦, 邹世昌. 离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究. 物理学报,
1989, 38(12): 1996-2002.
doi: 10.7498/aps.38.1996
|
[17] |
郭元恒, 陈岚峰. 超导Nb-Ge溅射膜的俄歇电子能谱及电子能谱化学分析. 物理学报,
1988, 37(7): 1196-1102.
doi: 10.7498/aps.37.1196
|
[18] |
王钤, 张强基, 华中一. 俄歇定量分析中确定背散射因子的一种新方法. 物理学报,
1986, 35(7): 914-921.
doi: 10.7498/aps.35.914
|
[19] |
徐至中, 戴道宣, 邹惠良. Si(111)解理面氧吸附后Si L2,3VV俄歇谱形的分析. 物理学报,
1985, 34(1): 32-38.
doi: 10.7498/aps.34.32
|
[20] |
吴自勤, 段建中. 俄歇电子能谱中背散射修正因子的计算. 物理学报,
1984, 33(3): 419-424.
doi: 10.7498/aps.33.419
|