非故意掺杂GaN薄膜方块电阻与载气中N<sub>2</sub>比例关系研究
物理学报
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物理学报  2008, Vol. 57 Issue (11): 7233-7237
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
非故意掺杂GaN薄膜方块电阻与载气中N2比例关系研究
席光义, 郝智彪, 汪 莱, 李洪涛, 江 洋, 赵 维, 任 凡, 韩彦军, 孙长征, 罗 毅
清华大学电子工程系清华大学信息科学与技术国家实验室/集成光电子学国家重点实验室,北京 100084
Dependence of GaN film sheet resistance on the N2 carrier gas percentage
Xi Guang-Yi, Hao Zhi-Biao, Wang Lai, Li Hong-Tao, Jiang Yang, Zhao Wei, Ren Fan, Han Yan-Jun, Sun Chang-Zheng, Luo Yi
清华大学电子工程系清华大学信息科学与技术国家实验室/集成光电子学国家重点实验室,北京 100084

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