纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性
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物理学报  2011, Vol. 60 Issue (7): 076104
凝聚物质:结构、力学和热学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性
陈贵锋1, 谭小动1, 万尾甜1, 郝秋艳1, 唐成春1, 朱建军2, 刘宗顺2, 赵德刚2, 张书明2, 沈俊3
(1)河北工业大学材料学院,河北省新型功能材料实验室,天津 300130; (2)中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京 100083; (3)中国科学院理化技术研究所,北京 100190
Growth and device characteristics of nano-folding InGaN/GaNmultiple quantum well LED
Chen Gui-Feng1, Tan Xiao-Dong1, Wan Wei-Tian1, Hao Qiu-Yan1, Tang Cheng-Chun1, Zhu Jian-Jun2, Liu Zong-Shun2, Zhao De-Gang2, Zhang Shu-Ming2, Shen Jun3
(1)Key Lab. for New Type of Functional Materials in Hebei Province, Hebei University of Technology, Tianjing 300130, China; (2)State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academyof Sciences, Beijing 100083, China; (3)Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China

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