一步掩膜法制备超低压ITO沟道纸上薄膜晶体管
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2012, Vol. 61 Issue (4): 047202     doi:10.7498/aps.61.047202
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 过刊浏览| 高级检索     
一步掩膜法制备超低压ITO沟道纸上薄膜晶体管
毛延凯, 蒋杰, 周斌, 窦威
教育部微纳光电子器件重点实验室, 化学生物传感与计量学国家重点实验室, 物理与微电子科学学院, 湖南大学, 长沙 410082
One-shadow-mask ultralow-voltage indium-tin-oxide thin-film transistors on paper substrates
Mao Yan-Kai, Jiang Jie, Zhou Bin, Dou Wei
Key Laboratory for Micro-Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education, State Key Laboratory of Chemo/Biosensing and Chemometrics, Hunan University, Changsha 410082, China

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn