基于栅绝缘层表面修饰的有机场效应晶体管迁移率的研究进展
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (22): 228502     doi:10.7498/aps.61.228502
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基于栅绝缘层表面修饰的有机场效应晶体管迁移率的研究进展
石巍巍1 2, 李雯1, 仪明东1, 解令海1, 韦玮1, 黄维1
1. 南京邮电大学信息材料与纳米技术研究院, 有机电子与信息显示国家重点实验室培育基地, 南京 210046;
2. 南京邮电大学信息材料与光电工程学院, 南京 210046
Progress of the improved mobilities of organic field-effect transistors based on dielectric surface modification
Shi Wei-Wei1 2, Li-Wen1, Yi Ming-Dong1, Xie Ling-Hai1, Wei-Wei1, Huang Wei1
1. Key Laboratory for Organic Electronics & Information Diaplays and Institute of Advanced Materials, Nanjing 210046, China;
2. Institute of Optoelectronics Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210046, China

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