生物分子膜门电极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器研究
物理学报
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物理学报  2014, Vol. 63 Issue (7): 070204     doi:10.7498/aps.63.070204
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生物分子膜门电极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器研究
李加东1 2, 程珺洁3, 苗斌1 2, 魏晓玮1 2, 张志强4, 黎海文4, 吴东岷1 2
1. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 国际实验室, 苏州 215123;
2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 纳米器件与应用重点实验室, 苏州 215123;
3. 中国科学院合肥物质科学研究院, 合肥 230031;
4. 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所, 医用微纳技术研究室, 苏州 215163
Research on biomolecule-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor biosensors
Li Jia-Dong1 2, Cheng Jun-Jie3, Miao Bin1 2, Wei Xiao-Wei1 2, Zhang Zhi-Qiang4, Li Hai-Wen4, Wu Dong-Min1 2
1. International Laboratory for Adaptive Bio-nanotechology, Suzhou institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China;
2. Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China;
3. Heifei instituts of physical science, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China;
4. Suzhou Institute of Biomedical Engineering and Technology, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215163, China

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