物理学报
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物理学报  2017, Vol. 66 Issue (16): .      DOI: 10.7498/aps.66.167301
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 最新目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索 |
具有部分本征GaN帽层新型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性分析
郭海君, 段宝兴, 袁嵩, 谢慎隆, 杨银堂
西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
Characteristic analysis of new AlGaN/GaN high electron mobility transistor with a partial GaN cap layer
Guo Hai-Jun, Duan Bao-Xing, Yuan Song, Xie Shen-Long, Yang Yin-Tang
Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China


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