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GaN异质外延的离子化氮源方法

贺仲卿 丁训民 侯晓远 王迅 沈孝良

GaN异质外延的离子化氮源方法

贺仲卿, 丁训民, 侯晓远, 王迅, 沈孝良
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  • 用电离N2产生的离子束作为外延生长氮化物的N源已获得成功,在GaAs(100)衬底上长出了具有立方结晶的GaN薄膜,其(200)X射线衍射峰宽仅23′。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方GaN的表面光学声子出现在损失能量为82meV处.
    • 基金项目: 国家自然科学基金资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-08-09
  • 刊出日期:  1994-07-20

GaN异质外延的离子化氮源方法

  • 1. (1)复旦大学分析测试中心; (2)复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 用电离N2产生的离子束作为外延生长氮化物的N源已获得成功,在GaAs(100)衬底上长出了具有立方结晶的GaN薄膜,其(200)X射线衍射峰宽仅23′。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方GaN的表面光学声子出现在损失能量为82meV处.

English Abstract

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