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掺硅类金刚石膜的制备与力学性能研究

赵栋才 任 妮 马占吉 邱家稳 肖更竭 武生虎

掺硅类金刚石膜的制备与力学性能研究

赵栋才, 任 妮, 马占吉, 邱家稳, 肖更竭, 武生虎
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-05-29
  • 修回日期:  2007-08-04
  • 刊出日期:  2008-03-20

掺硅类金刚石膜的制备与力学性能研究

  • 1. 兰州物理研究所表面工程技术国家重点实验室,兰州 730000

摘要: 用脉冲电弧离子镀技术,通过调整掺硅石墨靶和纯石墨靶的数量,制备了一系列不同硅含量的类金刚石薄膜样品.研究发现:当硅含量达6.7at.%时,类金刚石薄膜的应力从4.5GPa降低到3.1GPa,薄膜的硬度还保持在3600Hv,和没有掺杂的类金刚石薄膜的硬度相比,基本保持不变;当硅含量小于6.7at.%时薄膜的摩擦系数相对于未掺杂的类金刚石薄膜也保持不变,为0.15.当薄膜中硅含量继续增加时,薄膜中C—Si键的含量增多,导致薄膜硬度和应力都有较大幅度地减小、摩擦系数增大、磨损性能也变差了.

English Abstract

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