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离子束溅射Ge量子点的应变调制生长

杨杰 王茺 靳映霞 李 亮 陶东平 杨 宇

离子束溅射Ge量子点的应变调制生长

杨杰, 王茺, 靳映霞, 李 亮, 陶东平, 杨 宇
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  • 采用离子束溅射技术制备了单层和双层Ge量子点, 通过原子力显微镜对比了不同Si隔离层厚度和不同掩埋量子点密度情况下表层量子点的尺寸和形貌差异, 系统研究了掩埋Ge量子点产生的应变对表层量子点的浸润层及形核的影响, 并用埋置应变模型对其进行解释. 实验结果表明, 覆盖Ge量子点的Si隔离层中分布着的应变场, 导致表层量子点浸润层厚度的降低, 从而增大点的体积; 应变强度随隔离层厚度的减小而增加, 造成表层量子点形状和尺寸的变化; 此外, 应变还调控了表层量子点的空间分布.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 10964016, 10990103)、云南省社会发展自然基金(批准号: 2008CC012) 、教育部科学技术研究重点项目(批准号: 210207)和云南大学校基金(批准号: 2010YB030)资助的课题.
    [1]

    Zhang H, Zhai L X,Wang X, Zhang C Y, Liu J J 2011 Chin. Phys. B 20 037301

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    Schittenhelm P, Abstreiter G, Darhuber A, Bauer G, Werner P, Kosogov A 1997 Thin Solid Films 294 291

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    Yang J, Wang C, Xiong F, Tao D P, Yang Y 2012 Mater. Technol. B (in press)

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出版历程
  • 收稿日期:  2011-03-14
  • 修回日期:  2011-04-06
  • 刊出日期:  2012-01-05

离子束溅射Ge量子点的应变调制生长

  • 1. 云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所, 昆明 650091;
  • 2. 昆明理工大学冶金与能源工程学院, 昆明 650093
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 10964016, 10990103)、云南省社会发展自然基金(批准号: 2008CC012) 、教育部科学技术研究重点项目(批准号: 210207)和云南大学校基金(批准号: 2010YB030)资助的课题.

摘要: 采用离子束溅射技术制备了单层和双层Ge量子点, 通过原子力显微镜对比了不同Si隔离层厚度和不同掩埋量子点密度情况下表层量子点的尺寸和形貌差异, 系统研究了掩埋Ge量子点产生的应变对表层量子点的浸润层及形核的影响, 并用埋置应变模型对其进行解释. 实验结果表明, 覆盖Ge量子点的Si隔离层中分布着的应变场, 导致表层量子点浸润层厚度的降低, 从而增大点的体积; 应变强度随隔离层厚度的减小而增加, 造成表层量子点形状和尺寸的变化; 此外, 应变还调控了表层量子点的空间分布.

English Abstract

参考文献 (25)

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