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CdSe/ZnSe超薄层中两类量子岛(点)之间的激子转移和它们的光学性质研究

王防震 陈张海 柳 毅 黄少华 柏利慧 沈学础

CdSe/ZnSe超薄层中两类量子岛(点)之间的激子转移和它们的光学性质研究

王防震, 陈张海, 柳 毅, 黄少华, 柏利慧, 沈学础
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-03-02
  • 修回日期:  2004-05-15
  • 刊出日期:  2005-01-19

CdSe/ZnSe超薄层中两类量子岛(点)之间的激子转移和它们的光学性质研究

  • 1. 复旦大学物理系,应用表面物理国家重点实验室,上海 200433
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10244006)资助的课题.

摘要: 在变温条件下,对CdSe/ZnSe超薄层中的两类量子岛(点)进行了荧光光谱研究.在低温时,这两类岛之间的激子转移主要是通过隧穿过程,而随着温度的升高,局域激子的热跳跃逐渐取代隧穿过程成为激子转移的主导机理.研究还发现,小岛是具有准零维光学性质且不同于大岛的纳米团簇,它们激子的光学特性之间存在一定的差异,但实验表明两类量子岛之间又有很大的光学关联.

English Abstract

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