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磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的模型分析

邵建达 王英剑 范正修 沈自才

磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的模型分析

邵建达, 王英剑, 范正修, 沈自才
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-10-29
  • 修回日期:  2004-12-09
  • 刊出日期:  2005-05-05

磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的模型分析

  • 1. (1)中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800; (2)中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800;中国科学院研究生院,北京 100039

摘要: 阐述了磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的机理;探讨了磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的理论模型,给出了渐变折射率薄膜的折射率与反应气体分压的关系,在一定的沉积参数下,由要得到的膜层折射率随膜层几何厚度的变化规律可推导出反应气体分压比随时间的变化规律;最后以制备折射率线性变化的薄膜为例说明了如何推导得到反应气体分压比随时间的变化规律.

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