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Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结磁阻拍频现象

郑泽伟 吕 捷 唐 宁 沈 波 姚 炜 仇志军 桂永胜 褚君浩

Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结磁阻拍频现象

郑泽伟, 吕 捷, 唐 宁, 沈 波, 姚 炜, 仇志军, 桂永胜, 褚君浩
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-07-12
  • 修回日期:  2004-08-23
  • 刊出日期:  2005-05-10

Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结磁阻拍频现象

  • 1. (1)南京大学物理系,南京 210093; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划项目(批准号:001CB309506-2)资助的课题.

摘要: 在低温(15K—25K)和强磁场(0—10T)条件下,对二维电子气占据两个子带的Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结构进行磁输运测量.在一定温度范围内观察到磁阻拍频现象.根据Sander等人和Raikh等人给出的磁阻振荡的具体表达式,拟合实验结果表明磁阻拍频是由第一子带S dH振荡和磁致子带间散射引起的磁阻振荡导致的.

English Abstract

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