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激光干涉结晶技术制备二维有序分布纳米硅阵列

邹和成 乔 峰 吴良才 黄信凡 李 鑫 韩培高 马忠元 李 伟 陈坤基

激光干涉结晶技术制备二维有序分布纳米硅阵列

邹和成, 乔 峰, 吴良才, 黄信凡, 李 鑫, 韩培高, 马忠元, 李 伟, 陈坤基
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-12-07
  • 修回日期:  2005-02-23
  • 刊出日期:  2005-08-20

激光干涉结晶技术制备二维有序分布纳米硅阵列

  • 1. 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京 210093
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60471021,90301009,90101020,10174035)和国家重点基础 研究发展规划(批准号: 2001CB610503)资助的课题.

摘要: 利用结合移相光栅掩模 (PSGM) 的激光结晶技术在超薄a-SiNx/a-Si:H/ a-SiN x三明治结构样品中制备出二维有序分布的纳米硅阵列.原始样品是用等离子体 增强化学气相淀积法生长.a-Si:H层厚为10nm,a-SiNx 为50nm,衬底材料为SiO 2/Si或 熔凝石英.原子力显微镜、剖面透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜对样品表面形貌和 微结构的观测结果表明,采用该方法可以在原始淀积的a-Si:H层中得到位置可控的晶化区域 :每个晶化区域直径约250nm,具有同PSGM一致的2μm周期;晶化区域内形成的纳米硅 颗粒尺寸接近原始淀积的a-Si:H层厚,且晶粒的择优取向为.

English Abstract

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