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AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型

郝 跃 韩新伟 张进城 张金凤

AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型

郝 跃, 韩新伟, 张进城, 张金凤
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-12-05
  • 修回日期:  2006-02-17
  • 刊出日期:  2006-07-20

AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,西安 710071;宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2002CB3119,513270407),国防科技重点实验室基金(批准号:51433040105DZ0102,51432030204DZ0101)资助的课题.

摘要: 通过对AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描情况下电流崩塌现象和机理的分析,建立了一个AlGaN/GaN HEMT器件的直流扫描电流崩塌模型.该模型从AlGaN/GaN器件工作机理出发,综合考虑了器件结构、半导体表面与界面,以及量子阱特殊结构对电流崩塌的影响.实验反复证明了该模型与实验结果有良好的一致性.

English Abstract

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