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高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究

刘乃鑫 王怀兵 刘建平 牛南辉 张念国 李 彤 邢艳辉 韩 军 郭 霞 沈光地

高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究

刘乃鑫, 王怀兵, 刘建平, 牛南辉, 张念国, 李 彤, 邢艳辉, 韩 军, 郭 霞, 沈光地
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-01-01
  • 修回日期:  2006-04-05
  • 刊出日期:  2006-09-20

高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究

  • 1. 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京 100022
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60506012),北京市教委重点项目(批准号:KZ200510005003),北京工业大学博士科研启动基金(批准号:52002014200403)资助的课题.

摘要: 采用金属有机物化学气相沉积方法生长得到具有不同Mg掺杂浓度InxGa1-xN (0≤x≤0.3)外延材料样品. 对样品的电学特性和光学特性进行了系统的研究. 研究发现:在固定Mg掺杂浓度下,随In组分的提高,样品空穴浓度显著提高,最高达2.4×1019cm-3,Mg的活化效率提高了近两个数量级;通过对Mg掺杂InGaN(InGaN:Mg)样品的光致发光(PL)谱的分析,解释了InGaN:Mg样品的载流子跃迁机理,并确定了样品中Mg受主激活能和深施主能级的位置.

English Abstract

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