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大功率GaN基发光二极管的电流扩展效应及电极结构优化研究

沈光地 张剑铭 邹德恕 徐 晨 顾晓玲

大功率GaN基发光二极管的电流扩展效应及电极结构优化研究

沈光地, 张剑铭, 邹德恕, 徐 晨, 顾晓玲
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-05-18
  • 修回日期:  2007-06-05
  • 刊出日期:  2008-01-15

大功率GaN基发光二极管的电流扩展效应及电极结构优化研究

  • 1. 北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京 100022
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902),北京市人才强教计划项目(批准号:05002015200504)和国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2006AA03A121)资助的课题.

摘要: 定性分析了GaN基LED的电流扩展效应,发现电流密度和电流横向扩展的有效长度对电流均匀扩展有很大影响.基于此,对GaN基大功率LED提出了优化的电极结构,以减缓电流拥挤效应,降低器件串联电阻.通过用红外热像仪测量器件表面的温度分布,发现具有优化的环形插指电极结构的GaN基大功率LED表面温度分布比较均匀,证明芯片接触处电流扩展均匀,局部电流密度降低,减小了焦耳热的产生,增强了器件的可靠性.

English Abstract

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