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金属氧化物半导体场效应管热载流子退化的1/fγ噪声相关性研究

刘宇安 杜 磊 包军林

金属氧化物半导体场效应管热载流子退化的1/fγ噪声相关性研究

刘宇安, 杜 磊, 包军林
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-07-17
  • 修回日期:  2007-09-06
  • 刊出日期:  2008-02-05

金属氧化物半导体场效应管热载流子退化的1/fγ噪声相关性研究

  • 1. (1)井冈山学院数理学院,吉安 343009; (2)西安电子科技大学技术物理学院,西安 710071; (3)西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA303570)、国家自然科学基金重点项目(批准号:60437030)和天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01400)资助的课题.

摘要: 研究了金属氧化物半导体(MOS)器件在高、中、低三种栅压应力下的热载流子退化效应及其1/fγ噪声特性.基于Si/SiO2界面缺陷氧化层陷阱和界面陷阱的形成理论,结合MOS器件1/f噪声产生机制,并用双声子发射模型模拟了栅氧化层缺陷波函数与器件沟道自由载流子波函数及其相互作用产生能级跃迁、交换载流子的具体过程.建立了热载流子效应、材料缺陷与电参量、噪声之间的统一物理模型.还提出了用噪声参数Sf

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