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高性能透射式GaAs光电阴极量子效率拟合与结构研究

赵静 张益军 常本康 熊雅娟 张俊举 石峰 程宏昌 崔东旭

高性能透射式GaAs光电阴极量子效率拟合与结构研究

赵静, 张益军, 常本康, 熊雅娟, 张俊举, 石峰, 程宏昌, 崔东旭
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  • 为了探索高性能透射式GaAs光电阴极的特征结构,对光电阴极量子效率公式进行了光谱反射率与短波截止限的修正,并利用修正后的公式对ITT透射式GaAs光电阴极量子效率(43%)曲线进行了拟合,得到拟合相对误差小于5%时的结构参数为:窗口层Ga1-xAlxAs的厚度介于0.30.5 m,Al组分x值为0.7,发射层GaAs的厚度介于1.11.4 m.另外,根据拟合结果讨论了均匀掺杂透射式GaAs光电阴极的优化结构参数,如果光电阴极具有0.4 m厚的Ga1-xAlxAs(x=0.7)窗口层和1.11.5 m厚的GaAs发射层,则积分灵敏度可以达到2350 A/lm以上.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60678043)、江苏省普通高校研究生科研创新计划(批准号:CX09B_096Z)和南京理工大学自主科研专项计划(批准号:2010ZYTS032)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-11-05
  • 修回日期:  2011-01-11
  • 刊出日期:  2011-10-15

高性能透射式GaAs光电阴极量子效率拟合与结构研究

  • 1. 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094;
  • 2. 微光夜视技术国防科技重点实验室,西安 710065;
  • 3. 西安应用光学研究所,西安 710065
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60678043)、江苏省普通高校研究生科研创新计划(批准号:CX09B_096Z)和南京理工大学自主科研专项计划(批准号:2010ZYTS032)资助的课题.

摘要: 为了探索高性能透射式GaAs光电阴极的特征结构,对光电阴极量子效率公式进行了光谱反射率与短波截止限的修正,并利用修正后的公式对ITT透射式GaAs光电阴极量子效率(43%)曲线进行了拟合,得到拟合相对误差小于5%时的结构参数为:窗口层Ga1-xAlxAs的厚度介于0.30.5 m,Al组分x值为0.7,发射层GaAs的厚度介于1.11.4 m.另外,根据拟合结果讨论了均匀掺杂透射式GaAs光电阴极的优化结构参数,如果光电阴极具有0.4 m厚的Ga1-xAlxAs(x=0.7)窗口层和1.11.5 m厚的GaAs发射层,则积分灵敏度可以达到2350 A/lm以上.

English Abstract

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