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离子注入硅的椭圆偏振光谱和光性

莫党 叶贤京

离子注入硅的椭圆偏振光谱和光性

莫党, 叶贤京
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出版历程
  • 收稿日期:  1981-02-26
  • 刊出日期:  1981-05-05

离子注入硅的椭圆偏振光谱和光性

  • 1. 中山大学物理系

摘要: 为了进一步发展测定离子注入损伤层的椭圆偏光法,我们测量了离子注入硅在4000—7000?波长范围内的椭圆偏振光谱,并由此得到它的色散关系。注入条件为150keV,1015cm-2和1016cm-2的砷离子注入。由于在硅样品表面处形成无定形层,我们用单层模型,从(ψ,Δ)-λ数据计算出(n,k)-λ关系,并可定出损伤层厚度。在~4800?处,出现折射率n的谱峰,峰值约4.9。本文还比较了离子注入损伤层、溅射无定形硅膜层、蒸发无定形硅膜层和单晶硅的实验结果。

English Abstract

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