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铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究

秦希峰 梁毅 王凤翔 李双 付刚 季艳菊

铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究

秦希峰, 梁毅, 王凤翔, 李双, 付刚, 季艳菊
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  • 用300—500 keV能量的铒(Er)离子注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015 cm-2 的Er离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程Rp和射程离散ΔRp,将测出的实验值和TRIM软件得到的理论模拟值进行了比较,发现Rp的实验值与理论值符合较好,ΔRp的实验值和理论值差别大一些
    • 基金项目: 山东建筑大学校内基金(批准号:XN070109)和山东省自然科学基金(批准号:ZR2009FM031)资助的课题.
    [1]

    Ennen H, Schneider J, Pomrenke G, Axmann A 1983 Appl. Phys. Lett. 43 943

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    Wang J Z, Shi Z Q, Lou H N, Zhang X L, Zuo Z W, Pu L, Ma E, Zhang R, Zheng Y L, Lu F, Shi Y 2009 Acta Phys. Sin. 58 4243 (in Chinese) [王军转、石卓琼、娄昊楠、章新栾、左则文、濮 林、马 恩、张 荣、郑有炓、陆 昉、施 毅 2009 物理学报 58 4243]

    [4]

    Przybylinska H, Jantsch W, Suprun B, Stepikhova M, Palmetshofer L, Hendorfer G, Kozanecki A, Wilson R J, Sealy B J 1996 Phys. Rev. B 54 2532

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    Chen C Y, Chen W D, Wang Y Q, Song S F,Xu Z J 2003 Acta Phys. Sin. 52 736 (in Chinese)[陈长勇、陈维德、王永谦、宋淑芳、许振嘉 2003 物理学报 52 736]

    [9]

    Derycke V, Soukiassian P G, Amy F, Chabal Y J, DAngelo M D, Enriquez H B, Silly M G 2003 Nat. Mater. 2 253

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    Gao X, Sun G S, Li J M, Zhang Y X, Wang L, Zhao W S, Zeng Y P 2005 Chin. Phys. 14 599

    [11]

    Lin H F, Xie E Q, Ma Z W, Zhang J, Peng A H, He D Y 2004 Acta Phys. Sin. 53 2780 (in Chinese) [林洪峰、谢二庆、马紫 微、张 军、彭爱华、贺德衍 2004 物理学报 53 2780] 〖12] Rittenhous T L, Bohn P W, Hossain T K, Adesida I, Lindesay J, Marcus A 2004 J. Appl. Phys. 95 490

    [12]

    Zhang Y, Zhang C H, Zhou L H, Li B S, Yang Y T 2010 Acta Phys. Sin. 59 4130 (in Chinese) [张 勇、张崇宏、周丽宏、李炳生、杨义涛 2010 物理学报 59 4130]

    [13]

    Li B, Chen Z M, Lin T, Pu H B, Li Q M, Li J 2007 Chin. Phys. 16 3470

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    Qin X F, Wang F X, Liang Y, Fu G, Zhao Y M 2010 Acta Phys. Sin. 59 6382 (in Chinese) [秦希峰、王凤翔、梁 毅、付 刚、赵优美 2010 物理学报 59 6382]

    [15]

    Dontas I, Kennou S 2001 Diam. Relat. Mater. 10 13

    [16]

    Kozanecki A, Jeynes C, Barradas N, Sealy B J, Jantsch W 1999 Nucl. Instrum. Meth. B 148 512

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    Awahara K, Uekusa S, Goto T 1999 Nucl. Instrum. Meth. B 148 507

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    Kozanecki A, Glukhanyuk V, Jantsch W 2003 Mat. Sci. Eng. B 105 169

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    Chu W K, Mayer J W, Nicolet M A 1978 Backscattering Spectrometry (New York: Academic) chapt 5, p137—141

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    Liu X D 2003 Ph.D. Dissertation (Jinan: Shandong University)(in Chinese) [刘向东 2003 博士学位论文(济南:山东大学)]

    [21]

    Qin X F, Chen M, Wang X L, Fu G, Liang Y, Zhang S M 2010 Nucl. Instr. Methods B 268 1585

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    [3] 董正琼, 赵杭, 朱金龙, 石雅婷. 入射光照对典型光刻胶纳米结构的光学散射测量影响分析. 物理学报, 2020, 69(3): 030601. doi: 10.7498/aps.69.20191525
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-09-08
  • 修回日期:  2010-09-19
  • 刊出日期:  2011-06-15

铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究

  • 1. 山东建筑大学理学院,济南 250101
    基金项目: 

    山东建筑大学校内基金(批准号:XN070109)和山东省自然科学基金(批准号:ZR2009FM031)资助的课题.

摘要: 用300—500 keV能量的铒(Er)离子注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015 cm-2 的Er离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程Rp和射程离散ΔRp,将测出的实验值和TRIM软件得到的理论模拟值进行了比较,发现Rp的实验值与理论值符合较好,ΔRp的实验值和理论值差别大一些

English Abstract

参考文献 (21)

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