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纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性

陈贵锋 谭小动 万尾甜 沈俊 郝秋艳 唐成春 朱建军 刘宗顺 赵德刚 张书明

纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性

陈贵锋, 谭小动, 万尾甜, 沈俊, 郝秋艳, 唐成春, 朱建军, 刘宗顺, 赵德刚, 张书明
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-09-25
  • 修回日期:  2010-10-13
  • 刊出日期:  2011-07-15

纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性

  • 1. (1)河北工业大学材料学院,河北省新型功能材料实验室,天津 300130; (2)中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京 100083; (3)中国科学院理化技术研究所,北京 100190
    基金项目: 

    天津市自然科学基金(批准号:10JCYBJC03000)和中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室资助的课题.

摘要: 在以自组织Ni纳米岛为掩膜制作的n-GaN纳米柱上,利用MOCVD方法外延生长了具有折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)的LED结构外延片,进而制作了LED器件.外延片上中下游的光致荧光测试,结果表明外延片具有很好的均匀性.用该外延片制作的LED的电致发光谱,随注入电流增加没有明显蓝移,这表明纳米结构能更好地释放应力,纳米柱上外延生长的多量子阱,具有较低的压电极化电场.正向工作电流20 mA时,LED器件的工作电压为4.6 V.

English Abstract

参考文献 (12)

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