搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

低能离子注入形成氮化硅薄膜特性的研究

陈国明 陈国樑 杨絜 邹世昌

低能离子注入形成氮化硅薄膜特性的研究

陈国明, 陈国樑, 杨絜, 邹世昌
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2559
  • PDF下载量:  438
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1987-05-18
  • 刊出日期:  2005-07-05

低能离子注入形成氮化硅薄膜特性的研究

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所

摘要: 低能离子束与表面相互作用主要呈现溅射、注入等现象。本文研究了在1.35keVN2+离子注入形成氮化硅的特性,并研究了注入和溅射的并存过程。在高剂量、低能(<10keV)注入的情况下,提出了有效剂量的概念,并建立了刻蚀速率、射程与有效注入剂量的关系。还用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)、透射电子显微镜(TEM)、背散射分析(RBS)测定了薄膜的有关特性。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回