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高电导a-Si:H:Y合金的电输运特性

程兴奎 赵文瑾 戴国才

高电导a-Si:H:Y合金的电输运特性

程兴奎, 赵文瑾, 戴国才
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-05-04
  • 刊出日期:  2005-07-05

高电导a-Si:H:Y合金的电输运特性

  • 1. 山东大学物理系

摘要: 本文报道由rf溅射技术将稀土元素Y掺入非晶硅,当掺Y浓度为20%左右时,获得了室温直流电导率为2×101Ω-1·cm-1的a-Si:H:Y合金膜。测量表明该合金膜是n型。变温电导测量指出,在测量温度范围内lnσ与l/T的关系可拟合于两条直线。对于衬底温度为260℃,290℃和330℃溅射的合金膜,其转折点分别出现在~70℃,~75℃和~90℃。这表明a-Si:H:Y合金膜存在两种电传导机制:在室温附近电子在Y施主杂质带内跳跃传导,在高温情况下电子在导带延展态内传导。并且得到Y施主杂质带中心处于导带Ec以下0.06—0.07eV。

English Abstract

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