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MBE GaAs1-xSbx/GaAs应变层量子阱的光调制反射光谱

池坚刚 赵文琴 李爱珍

MBE GaAs1-xSbx/GaAs应变层量子阱的光调制反射光谱

池坚刚, 赵文琴, 李爱珍
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-09-05
  • 刊出日期:  1989-05-05

MBE GaAs1-xSbx/GaAs应变层量子阱的光调制反射光谱

  • 1. (1)宁波师范学院物理系; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室; (3)中国科学院上海冶金研究所

摘要: 本文采用光调制反射光谱技术研究了MBE GaAs1-xSbx/GaAs应变层量子阱。通过实验分析和理论上对受应力作用后能带结构的估算,确认在这一系统中流体静压力作用引起的能带结构变化主要出现在导带上,同时也证实了GaAs1-xSbx/GaAs应变层量子阱属于第Ⅱ型量子阱结构。实验结果与理论估算符合很好。

English Abstract

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