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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型

马骥刚 马晓华 张会龙 曹梦逸 张凯 李文雯 郭星 廖雪阳 陈伟伟 郝跃

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型

马骥刚, 马晓华, 张会龙, 曹梦逸, 张凯, 李文雯, 郭星, 廖雪阳, 陈伟伟, 郝跃
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-04-10
  • 修回日期:  2011-06-23
  • 刊出日期:  2012-04-15

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型

  • 1. 西安电子科技大学技术物理学院, 西安 710071;
  • 2. 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安电子科技大学微电子学院, 西安 710071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号: 2011CBA00606)资助的课题.

摘要: 初步分析了AlGaN/GaN 器件上的kink效应. 在直流模型的基础上, 建立了AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型, 并加入了kink效应发生的漏源偏压与栅源偏压的关系. 该模型得出较为准确的模拟结果, 可用来判断kink效应的发生和电流的变化量. 最后, 我们采用模型仿真结合实验分析的方法, 对kink效应进行了一定的物理研究, 结果表明碰撞电离对kink效应的发生有一定的促进作用.

English Abstract

参考文献 (17)

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