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非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET的解析模型

李聪 庄奕琪 韩茹 张丽 包军林

非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET的解析模型

李聪, 庄奕琪, 韩茹, 张丽, 包军林
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-09-14
  • 修回日期:  2012-04-05
  • 刊出日期:  2012-04-05

非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET的解析模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071;
  • 2. 西北工业大学航空微电子中心, 西安 710072
    基金项目: 

    中央高校基本科研业务费专项资金(批准号: K50511250001)和国家自然科学基金(批准号: 61076101)资助的课题.

摘要: 为抑制短沟道效应和热载流子效应, 提出了一种非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET新结构. 通过在圆柱坐标系中精确求解三段连续的泊松方程, 推导出新结构的沟道静电势、阈值电压以及亚阈值电流的解析模型. 结果表明, 新结构可有效抑制短沟道效应和热载流子效应, 并具有较小的关态电流. 此外, 分析还表明栅交叠区的掺杂浓度对器件的亚阈值电流几乎没有影响, 而栅电极功函数对亚阈值电流的影响较大. 解析模型结果和三维数值仿真工具ISE所得结果高度符合.

English Abstract

参考文献 (20)

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