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GaAs/Al0.23Ga0.77As双量子阱的带边不连续性和阱间耦合

R. N. SACKS 潘士宏 黄晖 张存洲

GaAs/Al0.23Ga0.77As双量子阱的带边不连续性和阱间耦合

R. N. SACKS, 潘士宏, 黄晖, 张存洲
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-08-26
  • 刊出日期:  2005-07-03

GaAs/Al0.23Ga0.77As双量子阱的带边不连续性和阱间耦合

  • 1. (1)United Technologies Research Center,East Hertford,Connecticut,U. S. A.; (2)南开大学物理系,天津300071

摘要: 本文报道在300和77K对一组具有不同垒宽Lb0.23Ga0.77As双量子阱样品的光调制反射谱(PR)的研究结果。除观察到11H,11L和22H等容许跃迁外,同时还识别一个从Al0.23Ga0.77As价带顶至量子阱第一电子束缚能级的跃迁,另一个从量子阱第一轻空穴束缚能级至Al0.23Ga0.77As导带底的跃迁。利用这些跃迁确定导带边不连续性为0.63。对Lb

English Abstract

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