高迁移率InGaAs/InP量子阱中的有效g因子

魏来明; 周远明; 俞国林; 高矿红; 刘新智; 林铁; 郭少令; 戴宁; 褚君浩; Austing David Guy

doi:10.7498/aps.61.127102

摘要

利用化学束外延法制备了高迁移率的In0.53Ga0.47As/InP量子阱样品. 在样品的低温磁输运测试中, 观察到纵向磁阻的Shubnikov-de Hass (SdH) 振荡和零场自旋分裂引起的拍频. 本文提出一种解析的方法, 即通过同时拟合不同倾斜磁场下SdH振荡的傅里叶变换谱, 得到有效g因子的大小.

关键词:

g因子 /
量子阱 /
磁阻

High-mobility In0.53Ga0.47As/InP quantum well is fabricated by the chemical beam epitaxy technique. Clear Shubnikov-de Hass (SdH) oscillation and beating pattern due to zero-field spin splitting are observed by magnetotransport measurements at low temperature. We use an analytical method, involving the simultaneous fitting of fast Fourier transform spectra of SdH oscillations at different tilted fields, to extract the effective g-factor.

Keywords:

作者及机构信息

1.
中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083;

2.
湖北工业大学电气与电子工程学院, 武汉 430068;

3.
华东师范大学信息科学技术学院, 极化材料与器件教育部重点实验室, 上海 200241;

4.
加拿大国家研究院微结构研究所, 渥太华 K1A 0R6

基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60976093, 10934007, 11174306, 11104073), 信息功能材料国家重点实验室开放课题和上海技术物理所创新专项(批准号: Q-ZY-5)资助的课题.

Authors and contacts

1.
National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Science, Shanghai 200083, China;

2.
School of Electrical and Electronic Engineering, Hubei University of Technology, Wuhan 430068, China;

3.
Key Laboratory of Polar Materials and Devices of Ministry of Education, School of Science and Technology of Information, East China Normal University, Shanghai 200062, China;

4.
Institute of Microstructural Science M50, National Research Council of Canada, Montreal Road, Ottawa, Ontario K1A 0R6, Canada

Funds: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60976093, 10934007, 11174306, 11104073), the Open Project of State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, ant the Innovation Program of Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences (Grant No. Q-ZY-5).

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