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高迁移率InGaAs/InP量子阱中的有效g因子

魏来明 周远明 俞国林 高矿红 刘新智 林铁 郭少令 戴宁 褚君浩 Austing David Guy

高迁移率InGaAs/InP量子阱中的有效g因子

魏来明, 周远明, 俞国林, 高矿红, 刘新智, 林铁, 郭少令, 戴宁, 褚君浩, Austing David Guy
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  • 利用化学束外延法制备了高迁移率的In0.53Ga0.47As/InP量子阱样品. 在样品的低温磁输运测试中, 观察到纵向磁阻的Shubnikov-de Hass (SdH) 振荡和零场自旋分裂引起的拍频. 本文提出一种解析的方法, 即通过同时拟合不同倾斜磁场下SdH振荡的傅里叶变换谱, 得到有效g因子的大小.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60976093, 10934007, 11174306, 11104073), 信息功能材料国家重点实验室开放课题和 上海技术物理所创新专项(批准号: Q-ZY-5)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-09-27
  • 修回日期:  2011-11-25
  • 刊出日期:  2012-06-20

高迁移率InGaAs/InP量子阱中的有效g因子

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083;
  • 2. 湖北工业大学电气与电子工程学院, 武汉 430068;
  • 3. 华东师范大学信息科学技术学院, 极化材料与器件教育部重点实验室, 上海 200241;
  • 4. 加拿大国家研究院微结构研究所, 渥太华 K1A 0R6
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60976093, 10934007, 11174306, 11104073), 信息功能材料国家重点实验室开放课题和 上海技术物理所创新专项(批准号: Q-ZY-5)资助的课题.

摘要: 利用化学束外延法制备了高迁移率的In0.53Ga0.47As/InP量子阱样品. 在样品的低温磁输运测试中, 观察到纵向磁阻的Shubnikov-de Hass (SdH) 振荡和零场自旋分裂引起的拍频. 本文提出一种解析的方法, 即通过同时拟合不同倾斜磁场下SdH振荡的傅里叶变换谱, 得到有效g因子的大小.

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