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新型SOANN埋层SOI器件的自加热效应研究

曹磊 刘红侠

新型SOANN埋层SOI器件的自加热效应研究

曹磊, 刘红侠
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-12-27
  • 修回日期:  2012-02-20
  • 刊出日期:  2012-09-05

新型SOANN埋层SOI器件的自加热效应研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60976068, 60936005)

    教育部科技创新工程重大项目培育资金项目 (批准 号: 708083)和教育部博士点基金(批准号: 200807010010)资助的课题.

摘要: 本文提出了一个新型的SOI埋层结构SOANN (silicon on aluminum nitride with nothing),用AlN代替传统的SiO2材料,并在SOI埋氧化层中引入空洞散热通道. 分析了新结构SOI器件的自加热效应.研究结果表明:用AlN做为SOI埋氧化层的材料, 降低了晶格温度,有效抑制了自加热效应.埋氧化层中的空洞,可以进一步提供散热通道, 使埋氧化层的介电常数下降,减小了电力线从漏端通过埋氧到源端的耦合, 有效抑制了漏致势垒降低DIBL(drain Induced barrier lowering)效应.因此,本文提出的新型SOANN结构可以提高SOI器件的整体性能,具有优良的可靠性.

English Abstract

参考文献 (15)

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