搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

非晶SiOx:C颗粒在空气中经高温煅烧后光学性质的研究

郑立仁 黄柏标 尉吉勇 戴瑛

非晶SiOx:C颗粒在空气中经高温煅烧后光学性质的研究

郑立仁, 黄柏标, 尉吉勇, 戴瑛
PDF
导出引用
导出核心图
  • 通过高温裂解法制备了非晶SiOx:C颗粒, 该颗粒在空气中经不同温度进行煅烧.利用傅里叶红外光谱、扫描电子显微镜和荧光光谱仪对SiOx:C颗粒样品的结构、 形貌和光学性质进行了研究. 结果显示: 随着煅烧温度的升高, 样品的荧光光谱的峰位发生蓝移; 当煅烧温度为500 ℃时, 样品的荧光峰蓝移到417 nm处, 且强度最强; 而且该颗粒拥有红、绿、蓝三色的荧光效应; 但经高温(600 ℃和800 ℃) 煅烧后, 样品的荧光强度大大降低. 我们认为这种现象与样品被充分氧化后其中的氧缺陷减少有关.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号: 2007CB613302)、山东省自然科学基金(批准号: ZR2012EMQ012)、晶体材料国家重点实验室(山东大学)开放课题(批准号: KF1001)和山东省泰安市科技发展计划(批准号: 20112023)资助的课题.
    [1]

    Canham L T 1990 Appl. Phys. Lett. 57 1046

    [2]

    Kim T Y, Park N M, Kim K H, Sung G Y, Ok Y W, Seong T Y, Choi C J 2004 Appl. Phys. Lett. 85 5355

    [3]

    Hessel C H, Henderson E J, Veinot J G C 2006 Chem. Mater. 18 6139

    [4]

    Matthew C B, Kelly P K, Yu P R, Joseph M L, Qing S, Wyatt K M, Randy J E, Arthur J N 2007 Nano. Lett. 7 2506

    [5]

    Park J H, Gu L, von Maltzahn G, Ruoslahti E, Bhatia S N, Sailor M J 2009 Nature Mater. 8 331

    [6]

    Heinrich J L, Curtis C L, Credo G M, Sailor M J, Kavanagh K L 1992 Science 255 66

    [7]

    Godefroo S, Hayne M, Jivanescu M, Stesmans A, Zacharias M, Lebedev O I, van Tendeloo G, Moshchalkov V V 2008 Nature Nanotech. 3 174

    [8]

    Zheng L R, Huang B B, Wei J Y 2009 Acta Phys. Sin. 58 8612 (in Chinese) [郑立仁, 黄柏标, 尉吉勇 2009 物理学报 58 8612]

    [9]

    Zheng L R, Huang B B, Wei J Y 2009 Chem. J. Chinese U. 30 250 (in Chinese) [郑立仁, 黄柏标, 尉吉勇 2009 高等学校化学学报 30 250]

    [10]

    Zheng L R, Huang B B, Wei J Y 2009 Acta Phys. Sin. 58 2306 (in Chinese) [郑立仁, 黄柏标, 尉吉勇 2009 物理学报 58 2306]

    [11]

    Peng X S, Wang X F, Zhang J, Wang Y W, Sun S H, Meng G W, Zhang L D 2002 Appl. Phys. A 74 831

    [12]

    Kar S, Chaudhuri S 2005 Solid State Commun. 133 151

    [13]

    Skuja L, Tanimura K, Itoh N 1996 J. Appl. Phys. 80 3518

    [14]

    Salh R, von Czarnowski A, Fitting H J 2005 Phys. Status Solidi 2 580

    [15]

    Fitting H-J, Salh R, Schmidt B 2008 J. Non-Cryst. Solids. 354 1697

    [16]

    Fitting H-J, Salh R, Schmidt B 2007 Semiconductors 41 453

    [17]

    Lau S P, Marshall J M, Dyes T E 1995 Phil. Mag. B 72 323

    [18]

    Choi K, Uchida Y, Matsumura M 1996 Jpn. J. Appl. Phys. 35 1648

    [19]

    Liao L S, Bao X M, Zheng X Q, Li N S, Min N B 1996 Appl. Phys. Lett. 68 850

    [20]

    Rebohle L, Lehmann J, Prucnal S, Kanjilal A, Nazarov A, Tyagulskii I, Skorupa W, Helm M 2008 Appl. Phys. Lett. 93 071908

    [21]

    Ogi T, Kaihatsu Y, Iskandar F, Wang W N, Okuyama K 2008 Adv. Mater. 20 3235

    [22]

    Bhusari D M, Kshirsagar S T 1993 J. Appl. Phys. 73 15

    [23]

    Wang L, Xu J, Ma T F, Li W, Huang X F, Chen K J 1999 J. Alloys Compds. 290 273

    [24]

    Inagaki N, Tasaka S, Ake H 1994 Polym. Bull. 33 709

    [25]

    Locovsky G, Manitini M J, Srivastava J K, Irene E A 1987 J. Vac. Sci. Technol. B 5 530

  • [1]

    Canham L T 1990 Appl. Phys. Lett. 57 1046

    [2]

    Kim T Y, Park N M, Kim K H, Sung G Y, Ok Y W, Seong T Y, Choi C J 2004 Appl. Phys. Lett. 85 5355

    [3]

    Hessel C H, Henderson E J, Veinot J G C 2006 Chem. Mater. 18 6139

    [4]

    Matthew C B, Kelly P K, Yu P R, Joseph M L, Qing S, Wyatt K M, Randy J E, Arthur J N 2007 Nano. Lett. 7 2506

    [5]

    Park J H, Gu L, von Maltzahn G, Ruoslahti E, Bhatia S N, Sailor M J 2009 Nature Mater. 8 331

    [6]

    Heinrich J L, Curtis C L, Credo G M, Sailor M J, Kavanagh K L 1992 Science 255 66

    [7]

    Godefroo S, Hayne M, Jivanescu M, Stesmans A, Zacharias M, Lebedev O I, van Tendeloo G, Moshchalkov V V 2008 Nature Nanotech. 3 174

    [8]

    Zheng L R, Huang B B, Wei J Y 2009 Acta Phys. Sin. 58 8612 (in Chinese) [郑立仁, 黄柏标, 尉吉勇 2009 物理学报 58 8612]

    [9]

    Zheng L R, Huang B B, Wei J Y 2009 Chem. J. Chinese U. 30 250 (in Chinese) [郑立仁, 黄柏标, 尉吉勇 2009 高等学校化学学报 30 250]

    [10]

    Zheng L R, Huang B B, Wei J Y 2009 Acta Phys. Sin. 58 2306 (in Chinese) [郑立仁, 黄柏标, 尉吉勇 2009 物理学报 58 2306]

    [11]

    Peng X S, Wang X F, Zhang J, Wang Y W, Sun S H, Meng G W, Zhang L D 2002 Appl. Phys. A 74 831

    [12]

    Kar S, Chaudhuri S 2005 Solid State Commun. 133 151

    [13]

    Skuja L, Tanimura K, Itoh N 1996 J. Appl. Phys. 80 3518

    [14]

    Salh R, von Czarnowski A, Fitting H J 2005 Phys. Status Solidi 2 580

    [15]

    Fitting H-J, Salh R, Schmidt B 2008 J. Non-Cryst. Solids. 354 1697

    [16]

    Fitting H-J, Salh R, Schmidt B 2007 Semiconductors 41 453

    [17]

    Lau S P, Marshall J M, Dyes T E 1995 Phil. Mag. B 72 323

    [18]

    Choi K, Uchida Y, Matsumura M 1996 Jpn. J. Appl. Phys. 35 1648

    [19]

    Liao L S, Bao X M, Zheng X Q, Li N S, Min N B 1996 Appl. Phys. Lett. 68 850

    [20]

    Rebohle L, Lehmann J, Prucnal S, Kanjilal A, Nazarov A, Tyagulskii I, Skorupa W, Helm M 2008 Appl. Phys. Lett. 93 071908

    [21]

    Ogi T, Kaihatsu Y, Iskandar F, Wang W N, Okuyama K 2008 Adv. Mater. 20 3235

    [22]

    Bhusari D M, Kshirsagar S T 1993 J. Appl. Phys. 73 15

    [23]

    Wang L, Xu J, Ma T F, Li W, Huang X F, Chen K J 1999 J. Alloys Compds. 290 273

    [24]

    Inagaki N, Tasaka S, Ake H 1994 Polym. Bull. 33 709

    [25]

    Locovsky G, Manitini M J, Srivastava J K, Irene E A 1987 J. Vac. Sci. Technol. B 5 530

  • [1] 彭英才, 王英龙, 卢丽芳, 闫常瑜, 褚立志, 周 阳, 傅广生. 具有窄光致发光谱的纳米Si晶薄膜的激光烧蚀制备. 物理学报, 2005, 54(12): 5738-5742. doi: 10.7498/aps.54.5738
    [2] 曲艳东, 孔祥清, 李晓杰, 闫鸿浩. 热处理对爆轰合成的纳米TiO2混晶的结构相变的影响. 物理学报, 2014, 63(3): 037301. doi: 10.7498/aps.63.037301
    [3] 贾云波, 林碧霞, 傅竹西, 廖桂红. 非掺杂ZnO薄膜中紫外与绿色发光中心. 物理学报, 2001, 50(11): 2208-2211. doi: 10.7498/aps.50.2208
    [4] 黄凯, 王思慧, 施毅, 秦国毅, 张荣, 郑有炓. 内电场对纳米硅光致发光谱的影响. 物理学报, 2004, 53(4): 1236-1242. doi: 10.7498/aps.53.1236
    [5] 于 威, 李亚超, 丁文革, 张江勇, 杨彦斌, 傅广生. 氮化硅薄膜中纳米非晶硅颗粒的键合结构及光致发光. 物理学报, 2008, 57(6): 3661-3665. doi: 10.7498/aps.57.3661
    [6] 黄柏标, 尉吉勇, 郑立仁. 不同气氛下SiOx纳米线的制备及形貌、红外、光致发光研究. 物理学报, 2009, 58(4): 2306-2312. doi: 10.7498/aps.58.2306
    [7] 袁艳红, 高 恒, 侯 洵. 超声处理对ZnO薄膜光致发光特性的影响. 物理学报, 2006, 55(1): 446-449. doi: 10.7498/aps.55.446
    [8] 方合, 王顺利, 李立群, 李培刚, 刘爱萍, 唐为华. 液相激光烧蚀合成ZnO及Zn/ZnO纳米颗粒及其光致发光性能. 物理学报, 2011, 60(9): 096102. doi: 10.7498/aps.60.096102
    [9] 刘姿, 张恒, 吴昊, 刘昌. Al纳米颗粒表面等离激元对ZnO光致发光增强的研究. 物理学报, 2019, 68(10): 107301. doi: 10.7498/aps.68.20190062
    [10] 缪竞威, 王培禄, 袁学东, 王 虎, 杨朝文, 师勉恭, 缪 蕾, 张 静, 朱洲森, 孙威立, 廖雪花. 氮团簇离子注入单晶硅的光致发光谱研究. 物理学报, 2008, 57(4): 2174-2178. doi: 10.7498/aps.57.2174
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  1125
  • PDF下载量:  524
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2012-04-07
  • 修回日期:  2012-05-22
  • 刊出日期:  2012-11-05

非晶SiOx:C颗粒在空气中经高温煅烧后光学性质的研究

  • 1. 泰山学院物理与电子工程学院, 泰安 271021;
  • 2. 山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南 250100
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号: 2007CB613302)、山东省自然科学基金(批准号: ZR2012EMQ012)、晶体材料国家重点实验室(山东大学)开放课题(批准号: KF1001)和山东省泰安市科技发展计划(批准号: 20112023)资助的课题.

摘要: 通过高温裂解法制备了非晶SiOx:C颗粒, 该颗粒在空气中经不同温度进行煅烧.利用傅里叶红外光谱、扫描电子显微镜和荧光光谱仪对SiOx:C颗粒样品的结构、 形貌和光学性质进行了研究. 结果显示: 随着煅烧温度的升高, 样品的荧光光谱的峰位发生蓝移; 当煅烧温度为500 ℃时, 样品的荧光峰蓝移到417 nm处, 且强度最强; 而且该颗粒拥有红、绿、蓝三色的荧光效应; 但经高温(600 ℃和800 ℃) 煅烧后, 样品的荧光强度大大降低. 我们认为这种现象与样品被充分氧化后其中的氧缺陷减少有关.

English Abstract

参考文献 (25)

目录

    /

    返回文章
    返回