搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P材料的MOCVD生长温度窗口研究

孙沛 李建军 邓军 韩军 马凌云 刘涛

(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P材料的MOCVD生长温度窗口研究

孙沛, 李建军, 邓军, 韩军, 马凌云, 刘涛
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  1192
  • PDF下载量:  504
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2012-07-11
  • 修回日期:  2012-07-24
  • 刊出日期:  2013-01-05

(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P材料的MOCVD生长温度窗口研究

  • 1. 北京工业大学电子信息与控制工程控学院, 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124
    基金项目: 

    北京市教委项目(批准号: PXM2011_014204_09_000065) 资助的课题.

摘要: 用来制作光电子器件的(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P为直 接带隙的四元合金材料, 对应的发光波长为630 nm, 在其LP-MOCVD (low press-metalorganic chemical vapor deposition)外延生长过程中温度的高低成为影响其质量的关键, 找到合适的生长温度窗口很有必要. 实验中分别在700 ℃, 680 ℃, 670 ℃和660 ℃的条件下生长出作为发光二极管 有源区的(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P多量子阱结构, 通过PL谱的测试对比分析, 找出最佳生长温度在670 ℃附近. 之后对比各外延片的PL谱、表面形貌, 并对反应室的气流场进行了模拟, 对各温度下生长状况的原因作出了深入分析. 分析得到,高温下In组分的再蒸发会引起晶格失配并导致位错; 低温下O杂质的并入会形成大量非辐射复合中心影响晶体质量, 因此导致了(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P生长温度窗口较窄, 文章最后提出In源有效浓度的提高是解决高温生长的一条有效途径.

English Abstract

参考文献 (14)

目录

    /

    返回文章
    返回