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Ge/ZnSe(100)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究

班大雁 方容川 杨风源 徐世宏 徐彭寿 袁诗鑫

Ge/ZnSe(100)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究

班大雁, 方容川, 杨风源, 徐世宏, 徐彭寿, 袁诗鑫
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  • 利用同步辐射光电子能谱研究了Ge/ZnSe(100)极性界面的能带连接问题.表面灵敏的芯能级谱显示出Ge原子与Se原子在界面处存在较弱的化学反应.利用芯能级技术,测量了该异质结的价带偏移,为1.76±0.1eV.用界面键极性模型对ZnSe(100)极性表面对价带偏移的影响进行了讨论,理论与实验符合较好
    • 基金项目: 国家自然科学基金资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  1995-11-01
  • 刊出日期:  1997-03-20

Ge/ZnSe(100)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究

  • 1. (1)中国科学技术大学国家同步幅射实验室; (2)中国科学技术大学物理系; (3)中国科学院上海技术物理研究所
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 利用同步辐射光电子能谱研究了Ge/ZnSe(100)极性界面的能带连接问题.表面灵敏的芯能级谱显示出Ge原子与Se原子在界面处存在较弱的化学反应.利用芯能级技术,测量了该异质结的价带偏移,为1.76±0.1eV.用界面键极性模型对ZnSe(100)极性表面对价带偏移的影响进行了讨论,理论与实验符合较好

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