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超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异

王小军 金星 张子平 郑联喜 肖智博 胡雄伟 王启明

超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异

王小军, 金星, 张子平, 郑联喜, 肖智博, 胡雄伟, 王启明
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-04-08
  • 修回日期:  1997-03-25
  • 刊出日期:  1997-09-20

超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心; (2)中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室; (3)中国科学院北京电子显微镜实验室

摘要: InxGa1-xAs缓冲层上生长InyGa1-yAs/GaAs超晶格(x<y).阱层处于压缩应变,垒层处于伸张应变,其厚度均小于Mathews-Blakeslee(M-B)平衡理论计算的临界厚度.透射电子显微镜及俄歇电子能谱、二级离子质谱测试发现,GaAs/InyGa1-yAs界面铟组分过渡区比InyGa1-yAs/GaAs界面铟组

English Abstract

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