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PLZST反铁电陶瓷电场诱导相变与相稳定性的研究

刘 鹏 杨同青 王志宏 徐 卓 张良莹 姚 熹

PLZST反铁电陶瓷电场诱导相变与相稳定性的研究

刘 鹏, 杨同青, 王志宏, 徐 卓, 张良莹, 姚 熹
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-02-23
  • 修回日期:  1998-03-20
  • 刊出日期:  1998-05-05

PLZST反铁电陶瓷电场诱导相变与相稳定性的研究

  • 1. 西安交通大学电子材料与器电研究所,西安 710049

摘要: 在三方铁电(FE)-四方反铁(AFE)的准同型相界附近制备了一系列组份为(Pb0.97La0.02)(Zr1-x-ySnyTix)O3(x=0.09或0.1;0.16≤y≤0.38)的反铁电陶瓷.研究了Sn含量y对电场诱导AFE→FE相变电场Ec、反铁电双电滞回线损耗ΔE、以及温度诱导FE→AFE相变温度TFE,AFE→顺电(PE)相变温度Tc的影响.沿AFE-FE相界Ti含量一定的条件下,Ec随着Sn含量y的增加而增大,ΔE减小,TFE与Tc均降低.场诱相变的回线参量Ec,ΔE与相变温度TFE和Tc相关联.在直流偏压下用原位X-射线衍射表征了相变时晶格结构的变化,结果表明,当电场达到AFE→FE相变临界场时,伴随相变的发生,晶格结构由四方相转变为三方相,晶胞体积增大.

English Abstract

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