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氮化硅膜致小尺寸金属氧化物半导体晶体管沟道单轴应变物理机理

杨旻昱 宋建军 张静 唐召唤 张鹤鸣 胡辉勇

氮化硅膜致小尺寸金属氧化物半导体晶体管沟道单轴应变物理机理

杨旻昱, 宋建军, 张静, 唐召唤, 张鹤鸣, 胡辉勇
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  • 应力作用下MOS性能可显著提升, 小尺寸MOS沟道中单轴应力的引入可通过在MOS表面覆盖淀积SiN膜实现. 虽然该工艺已广泛应用于MOS性能的提升, 但有关SiN膜致MOS沟道应力的产生机理、作用机理, 以及SiN膜结构与MOS沟道应力类型关联性等方面的研究仍需深入探讨. 本文基于ISE TCAD仿真, 提出了分段分析、闭环分析和整体性分析三种模型. 通过对Si MOS源、栅、漏上多种SiN膜淀积形式的深入分析, 揭示了SiN膜致MOS 沟道应力产生与作用物理机理. 研究发现: 1) “台阶”结构是SiN膜导致MOS沟道应变的必要条件; 2) SiN膜具有收缩或者扩张的趋势, SiN膜主要通过引起MOS源/漏区域Si材料的形变, 进而引起沟道区Si材料发生形变; 3)整体SiN膜对沟道的应力等于源/漏上方SiN膜在源/漏所施加的应力、“闭环结构”对沟道内部所施加的应力以及SiN膜的完整性在沟道产生的应力的总和. 本文物理模型可为小尺寸MOS工艺制造, 以及MOS器件新型应力引入的研究提供有价值的参考.
      通信作者: 杨旻昱, minyu_muyi@qq.com
    • 基金项目: 模拟集成电路重点实验室基金(批准号: P140c090303110c0904)和陕西省自然科学基础研究计(批准号: 2014JQ8329)资助的课题.
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    Bai M, Xuan R X, Song J J, Zhang H M, Hu H Y, Shu B 2015 J. Comput Theor Nanos 12 1610

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    Sentaurus TCAD, G2012-06 Manual, Synopsys, Inc., Mountain View, CA, USA, 2012

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出版历程
  • 收稿日期:  2015-07-12
  • 修回日期:  2015-08-14
  • 刊出日期:  2015-12-05

氮化硅膜致小尺寸金属氧化物半导体晶体管沟道单轴应变物理机理

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071;
  • 2. 中电集团24所模拟集成电路重点实验室, 重庆 400060
  • 通信作者: 杨旻昱, minyu_muyi@qq.com
    基金项目: 

    模拟集成电路重点实验室基金(批准号: P140c090303110c0904)和陕西省自然科学基础研究计(批准号: 2014JQ8329)资助的课题.

摘要: 应力作用下MOS性能可显著提升, 小尺寸MOS沟道中单轴应力的引入可通过在MOS表面覆盖淀积SiN膜实现. 虽然该工艺已广泛应用于MOS性能的提升, 但有关SiN膜致MOS沟道应力的产生机理、作用机理, 以及SiN膜结构与MOS沟道应力类型关联性等方面的研究仍需深入探讨. 本文基于ISE TCAD仿真, 提出了分段分析、闭环分析和整体性分析三种模型. 通过对Si MOS源、栅、漏上多种SiN膜淀积形式的深入分析, 揭示了SiN膜致MOS 沟道应力产生与作用物理机理. 研究发现: 1) “台阶”结构是SiN膜导致MOS沟道应变的必要条件; 2) SiN膜具有收缩或者扩张的趋势, SiN膜主要通过引起MOS源/漏区域Si材料的形变, 进而引起沟道区Si材料发生形变; 3)整体SiN膜对沟道的应力等于源/漏上方SiN膜在源/漏所施加的应力、“闭环结构”对沟道内部所施加的应力以及SiN膜的完整性在沟道产生的应力的总和. 本文物理模型可为小尺寸MOS工艺制造, 以及MOS器件新型应力引入的研究提供有价值的参考.

English Abstract

参考文献 (14)

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