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纳米硅薄膜的光致发光特性

刘 明 何宇亮 江兴流 李国华 韩和相

纳米硅薄膜的光致发光特性

刘 明, 何宇亮, 江兴流, 李国华, 韩和相
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-06-24
  • 刊出日期:  1998-05-20

纳米硅薄膜的光致发光特性

  • 1. (1)北京航空航天大学应用物理系,北京 100083; (2)中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 用等离子体增强化学汽相淀积法系统制备了发光纳米硅(nc-Si∶H)薄膜.讨论了晶粒尺寸和表面结构对光致发光(PL)谱的影响.用量子限制-发光中心模型解释了nc-Si∶H的PL.研究了PL谱的温度特性.温度从10K上升到250K,PL峰值红移了54meV,且PL强度衰减了两个数量级.

English Abstract

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