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一种测量纤锌矿n-GaN位错密度的新方法

何菊生 张萌 潘华清 齐维靖 李平

一种测量纤锌矿n-GaN位错密度的新方法

何菊生, 张萌, 潘华清, 齐维靖, 李平
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-02-29
  • 修回日期:  2016-06-07
  • 刊出日期:  2016-08-20

一种测量纤锌矿n-GaN位错密度的新方法

  • 1. 南昌大学科学技术学院, 南昌 330029;
  • 2. 南昌大学材料科学与工程学院, 南昌 330031;
  • 3. 上饶职业技术学院机械工程系, 上饶 334100;
  • 4. 南昌大学现代教育技术中心, 南昌 330031
  • 通信作者: 何菊生, Hejusheng_2004@sohu.com
    基金项目: 

    江西省自然科学基金(批准号:20151BAB207066)和南昌大学科学技术学院自然科学基金(批准号:2012-ZR-06)资助的课题.

摘要: 采用点缺陷线性分布模型,利用能量弛豫方法得到了基于van der Pauw变温霍尔效应测量来确定纤锌矿n-GaN位错密度的新方法. 用高分辨率X射线衍射仪测试了两个分别用MOCVD方法和用HVPE方法生长的n-GaN样品,用Srikant方法拟合得到了位错密度. 结果表明两种方法高度一致. 进一步的研究表明,新方法和化学腐蚀方法的测试结果基本一致,相关拟合参数与采用Rode 迭代法精确求解Boltzmann输运方程的理论结果也基本一致. 研究还表明,新方法能有效消除施主杂质带和界面简并层对测试结果的影响,测试剔除界面层影响后的整个外延层的刃、螺位错密度,而不是穿透位错密度. 该方法适合霍尔迁移率曲线峰位在200 K左右及以下并且峰位明确的各种生长工艺、各种厚度、各种质量层次的薄膜和体材料,具有对迁移率曲线高度拟合,材料参数精确,计算简便、收敛速度快等优点.

English Abstract

参考文献 (15)

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