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Si∶H∶O薄膜的室温强紫外光致发光

佟 嵩 刘湘娜 高 婷 尹 浩 陈逸君 鲍希茂

Si∶H∶O薄膜的室温强紫外光致发光

佟 嵩, 刘湘娜, 高 婷, 尹 浩, 陈逸君, 鲍希茂
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  • 用等离子体增强辉光放电法制成a-Si∶H∶O薄膜,未经任何后处理过程,观察到峰值分别位于340—370,400—430以及740nm的三个光致发光(PL)带.这种紫外光发射既强又稳定,其强度与薄膜中的氧含量紧密相关,而后者可通过薄膜淀积过程中施加在其衬底上的直流偏压进行控制.前两个PL峰来源于a-Si∶H∶O中与氧有关的色心,而后一个PL峰则来源于嵌入a-Si∶H∶O中纳米硅晶粒的量子尺寸效应和晶粒表面的色心两方面的作用.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:59832100)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-02-20
  • 修回日期:  1998-07-15
  • 刊出日期:  1999-01-05

Si∶H∶O薄膜的室温强紫外光致发光

  • 1. 南京大学固体微结构物理国家重点实验室,物理系,分析中心,南京 210093
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:59832100)资助的课题.

摘要: 用等离子体增强辉光放电法制成a-Si∶H∶O薄膜,未经任何后处理过程,观察到峰值分别位于340—370,400—430以及740nm的三个光致发光(PL)带.这种紫外光发射既强又稳定,其强度与薄膜中的氧含量紧密相关,而后者可通过薄膜淀积过程中施加在其衬底上的直流偏压进行控制.前两个PL峰来源于a-Si∶H∶O中与氧有关的色心,而后一个PL峰则来源于嵌入a-Si∶H∶O中纳米硅晶粒的量子尺寸效应和晶粒表面的色心两方面的作用.

English Abstract

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