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												doi: 10.7498/aps.73.20240475 | 
							
									| [2] | 段秀铭, 易志军. 介电环境屏蔽效应对二维InX (X = Se, Te)激子结合能调控机制的理论研究. 物理学报,
												2023, 72(14): 147102.
												
												doi: 10.7498/aps.72.20230528 | 
							
									| [3] | 胡倩颖, 许杨. 二维半导体材料中激子对介电屏蔽效应的探测及其应用. 物理学报,
												2022, 71(12): 127102.
												
												doi: 10.7498/aps.71.20220054 | 
							
									| [4] | 邹双阳, Muhammad Arshad Kamran, 杨高岭, 刘瑞斌, 石丽洁, 张用友, 贾宝华, 钟海政, 邹炳锁. II-VI族稀磁半导体微纳结构中的激子磁极化子及其发光. 物理学报,
												2019, 68(1): 017101.
												
												doi: 10.7498/aps.68.20181211 | 
							
									| [5] | 王文娟, 王海龙, 龚谦, 宋志棠, 汪辉, 封松林. 外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响. 物理学报,
												2013, 62(23): 237104.
												
												doi: 10.7498/aps.62.237104 | 
							
									| [6] | 李文生, 孙宝权. 电场调谐InAs量子点荷电激子光学跃迁. 物理学报,
												2013, 62(4): 047801.
												
												doi: 10.7498/aps.62.047801 | 
							
									| [7] | 王艳文, 吴花蕊. 闪锌矿GaN/AlGaN量子点中激子态及光学性质的研究. 物理学报,
												2012, 61(10): 106102.
												
												doi: 10.7498/aps.61.106102 | 
							
									| [8] | 沈曼, 张亮, 刘建军. 磁场和量子点尺寸对激子性质的影响. 物理学报,
												2012, 61(21): 217103.
												
												doi: 10.7498/aps.61.217103 | 
							
									| [9] | 邓艳平, 吕彬彬, 田强. 非对称方势阱中的激子及其与声子的相互作用. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.59.4961 | 
							
									| [10] | 孙震, 安忠, 李元, 刘文, 刘德胜, 解士杰. 高聚物中极化子和三重态激子的碰撞过程研究. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.58.4150 | 
							
									| [11] | 金  华, 刘  舒, 张振中, 张立功, 郑著宏, 申德振. (CdZnTe, ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.57.6627 | 
							
									| [12] | 熊  稳, 赵  铧. ZnO薄膜的激子能量和束缚能的计算. 物理学报,
												2007, 56(2): 1061-1065.
												
												doi: 10.7498/aps.56.1061 | 
							
									| [13] | 张  红, 刘  磊, 刘建军. 对称GaAs/Al0.3Ga0.7As双量子阱中激子的束缚能. 物理学报,
												2007, 56(1): 487-490.
												
												doi: 10.7498/aps.56.487 | 
							
									| [14] | 郑瑞伦. 圆柱状量子点量子导线复合系统的激子能量和电子概率分布. 物理学报,
												2007, 56(8): 4901-4907.
												
												doi: 10.7498/aps.56.4901 | 
							
									| [15] | 王防震, 陈张海, 柳  毅, 黄少华, 柏利慧, 沈学础. CdSe/ZnSe超薄层中两类量子岛(点)之间的激子转移和它们的光学性质研究. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.54.434 | 
							
									| [16] | 董庆瑞, 牛智川. 垂直耦合自组织InAs双量子点中激子能的计算. 物理学报,
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									| [17] | 金 华, 张立功, 郑著宏, 孔祥贵, 安立楠, 申德振. ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构中的激子隧穿过程. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.53.3211 | 
							
									| [18] | 徐 权, 田 强. 一维分子链中激子与声子的相互作用和呼吸子解 . 物理学报,
												2004, 53(9): 2811-2815.
												
												doi: 10.7498/aps.53.2811 | 
							
									| [19] | 刘文楷, 林世鸣, 张存善. 半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合. 物理学报,
												2002, 51(9): 2052-2056.
												
												doi: 10.7498/aps.51.2052 | 
							
									| [20] | 张锡娟, 李广起, 孙鑫. 聚合物中产生双激子的新通道. 物理学报,
												2002, 51(1): 134-137.
												
												doi: 10.7498/aps.51.134 |