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磁控溅射淀积掺Er富Si氧化硅膜中Er3+ 1.54μm光致发光

冉广照 陈源 张伯蕊 乔永平 傅济时 秦国刚 袁放成 马振昌 宗婉华

磁控溅射淀积掺Er富Si氧化硅膜中Er3+ 1.54μm光致发光

冉广照, 陈源, 张伯蕊, 乔永平, 傅济时, 秦国刚, 袁放成, 马振昌, 宗婉华
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-04-19
  • 修回日期:  2001-06-15
  • 刊出日期:  2001-06-05

磁控溅射淀积掺Er富Si氧化硅膜中Er3+ 1.54μm光致发光

  • 1. (1)北京大学物理系,北京100871; (2)北京大学物理系,北京100871,泉州师院物理系,泉州362000; (3)信息产业部电子第十三研究所,石家庄050051
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:59832100)

    集成光电子国家重点实验室基金资助的课题.

摘要: 用磁控溅射淀积不同富Si程度的掺Er富Si氧化硅薄膜.室温下测量其光致发光谱,观察到各谱中都含有1.54和1.38μm两个发光峰,其中1.54和1.38μm的光致发光峰分别来自Er3+和氧化硅中某种缺陷.系统研究了Er3+1.54μm光致发光峰强度对富Si程度及退火温度的依赖关系.还发现1.54μm发光峰强度与1.38μm发光峰强度相互关联,对此进行了讨论

English Abstract

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