搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

非晶微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究

安龙 杨富华 张世斌 廖显伯 孔光临 王永谦 徐艳月 陈长勇 刁宏伟

非晶微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究

安龙, 杨富华, 张世斌, 廖显伯, 孔光临, 王永谦, 徐艳月, 陈长勇, 刁宏伟
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2969
  • PDF下载量:  1141
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2001-11-26
  • 修回日期:  2002-01-07
  • 刊出日期:  2002-04-05

非晶微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究

  • 1. (1)中国科学院半导体所超晶格与微结构国家重点实验室,北京100083; (2)中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室,北京100083
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 1)资助的课题~~

摘要: 通过改变氢气对硅烷气体的稀释程度,并保持其他的沉积参量不变,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功地制备出处于非晶微晶相变过渡区域的硅薄膜样品.测量了样品的室温光电导和暗电导,样品的光电性能优越,在50mW·cm-2的白光照射下,光电导和暗电导的比值达到106.在室温下用微区喇曼谱研究了薄膜的微结构特性,用高斯函数对喇曼谱进行了拟合分析.结果表明,在我们的样品制备条件下,当H2和SiH4的流量比R较小时,样品表现出典型的非晶硅薄膜的结构特性;随流量比R的增大,薄膜表现出两相结构,其中的微晶成分随

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回