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稀土(Tb,Gd)掺杂多孔硅的光致发光性能研究

彭爱华 谢二庆 姜 宁 张志敏 李 鹏 贺德衍

稀土(Tb,Gd)掺杂多孔硅的光致发光性能研究

彭爱华, 谢二庆, 姜 宁, 张志敏, 李 鹏, 贺德衍
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-08-26
  • 修回日期:  2002-11-08
  • 刊出日期:  2003-07-20

稀土(Tb,Gd)掺杂多孔硅的光致发光性能研究

  • 1. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60176002)资助的课题.

摘要: 用电化学方法对多孔硅薄膜进行了稀土(Tb,Gd)离子的化学掺杂.利用荧光分光光度计测试了样品的光致发光特性.用扫描电子显微镜研究了薄膜的表面形貌.用卢瑟福背散射谱分析了稀土离子在多孔硅薄膜中的分布情况.结果表明,Tb的掺入显著增强了多孔硅的发光强度,并且发光峰位出现蓝移.这是由于Tb3+的4f能级5D4—7F3,5D4—7F

English Abstract

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